單晶硅跟多晶硅的區(qū)別在哪里4
發(fā)布時間：
2024-11-23
單晶硅和多晶硅在多個方面存在顯著差異。
首先，從物理性質(zhì)上看，單晶硅的晶面取向相同、無晶界，品質(zhì)優(yōu)異；而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁雜、位錯密布，晶格缺陷較多。單晶硅的四個角呈現(xiàn)圓弧狀，表面沒有花紋；而多晶硅的四個角呈現(xiàn)方角，表面有類似冰花一樣的花紋。此外，多晶硅在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，也不如單晶硅明顯。
其次，在導(dǎo)電性方面，單晶硅有較弱的導(dǎo)電性，且其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加；而多晶硅幾乎沒有導(dǎo)電性。不過，兩者都具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。
最后，從應(yīng)用角度看，單晶硅的生產(chǎn)能耗大、成本高，但它在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機械性能等方面具有優(yōu)勢；而多晶硅的生產(chǎn)成本相對較低，生長速率快，在太陽能電池等領(lǐng)域占據(jù)主要市場。
綜上所述，單晶硅和多晶硅在物理性質(zhì)、導(dǎo)電性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面都存在顯著差異，各有其獨特的優(yōu)勢和特點。
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